可控硅与一般硅整流元件的区别 晶闸管的基本原理和动态特性是什么？
晶闸管的基本原理和动态特性是什么？
晶闸管是闸流管(thyratron)的缩写，也可称为可控硅整流器，以前简称可控硅整流器。1957年，美国通用电气公司开发了世界 这是美国第一个晶闸管产品，并于1958年商业化。晶闸管是PNPN的四层半导体结构，有三极:阳极、阴极和栅极。晶闸管具有硅整流器件的特性，可在高电压、大电流条件下工作，工作过程可控，广泛应用于可控整流、交流调压、无触点电子开关、逆变器、变频等电子电路中。
晶闸管T工作过程中，其阳极A和阴极K与电源和负载相连，构成晶闸管主电路，晶闸管的栅极G和阴极K与控制晶闸管的装置相连，构成晶闸管控制电路。晶闸管的工作条件:1。当晶闸管承受反向阳极电压时，无论栅极承受什么电压，晶闸管都处于关断状态。2.当晶闸管承受正向阳极电压时，晶闸管只有在栅极承受直流电压时才导通。3.晶闸管导通时，只要有一定的正阳极电压，无论门极电压如何，晶闸管都保持导通，即晶闸管导通后，门极失去作用。4.当晶闸管导通时，当主回路的电压(或电流)降低到接近于零时，晶闸管关断。晶闸管是四层三端器件，有三个PN结J1、J2和JBOY3乐队。图1显示中间的NP可以分成两部分，形成PNP三极管和NPN三极管的复合管。图2表明，当晶闸管承受正阳极电压时，为了使晶闸管导通，承受反向电压的PN结J2必须失去阻断作用。图2中每个晶体管的集电极电流也是另一个晶体管的基极电流。因此，当有足够的门机电流Ig流入两个相互复合的晶体管电路时，就会形成很强的正反馈，导致两个晶体管饱和导通，晶体管饱和导通。设PNP管和NPN管的集电极电流为Ic1和Ic2分别是；发射极电流分别为Ia和ik；电流放大倍数分别为a1Ic1/Ia和a2Ic2/Ik，流过J2结的反向漏电流为Ic0，晶闸管的阳极电流等于两个晶体管的集电极电流和漏电流之和:IaIc1 Ic2 Ic0或IAAIIaA2IKIC0。如果门极电流为Ig，那么晶闸管的阴极电流为IkIa Ig，那么可以得出晶闸管的阳极电流为I (IC0IGa2)/(1-(a1A2))。硅PNP管和硅NPN管对应的电流放大倍数A1和A2随着其发射极电流的变化而急剧变化，如图3所示。当晶闸管承受正向阳极电压而栅极不承受电压时，在公式(1-1)中，Ig0，(a1 a2)很小，所以晶闸管的阳极电流Ia≈Ic0处于正向阻断状态。当晶闸管处于正阳极电压时，电流Ig从栅极g流入，由于足够大的Ig流过NPN管的发射极结，启动电流的放大系数a2增大，足够大的电极电流Ic2流过PNP管的发射极结，PNP管的电流放大系数a1增大，使得更大的电极电流Ic1流过NPN管的发射极结。这种强有力的正反馈过程进展迅速。由图3可知，当a1和a2随发射极电流而增大且(a1 a2)≈1时，公式(1-1)中的分母1-(a1 a2)≈0，从而增大晶闸管的阳极电流Ia。此时流过晶闸管的电流完全由主回路电压和回路电阻决定。晶闸管处于正向导通状态。式(1-1)中，晶闸管开通后，1-(a1 a2)≈0，即使此时，晶闸管也能保持原阳极电流Ia继续开通。晶闸管开通后，门极就失去了作用。晶闸管开通后，如果电源电压不断降低或回路电阻增大，使阳极电流Ia降低到保持电流IH以下，由于a1和a1下降很快，当1-(a1 a2)≈0时，晶闸管将恢复阻断状态。
整流所用的半导体器件特性是？
特点是单向传导。
整流用的半导体器件是一种导电率介于良导体和绝缘体之间的电子器件，利用半导体材料特殊的电学特性来完成特定的功能。它可以用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换，其特点是单向导电。用于整流的半导体器件的半导体材料为硅、锗或砷化镓，可用作整流器、振荡器、光发射器、放大器、光电探测器等设备。为了与集成电路相区别，有时称之为分立器件。大多数双端器件(即晶体二极管)的基本结构是PN结。
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