硅和锗的二极管开启电压为何不同 硅和锗的反向击穿电压？
硅和锗的反向击穿电压？
硅管反向移动饱和现象电流远高于锗管的方向相反饱和电流（只能后者的百分之一左右），但是好象硅管的方向相反击穿电压也低于锗管。整流二极管和用半导体锗或硅等材料制造。硅整流二极管的击穿电压高,反向移动漏电流小,高温性能良好的训练。常见高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造。
锗管比硅管的特性受温度的影响小？
锗的外层电子比硅外层电子重新活跃,对温度敏感所以我锗管受温度影响明显，是由材料的性质做出决定的.还有,锗二极管的正向电压降低约0.2v,硅二极管的正向负载约0.7v
怎样用万用表判别硅管和锗管？
在用万用表的电阻档(R×100Ω或R×tkΩ档)，分别测量二极管的正反向电阻，正向电阻和方向相反电阻都很大的是硅二极管，朝电阻和反向移动电阻都一般较小的是锗二极管。
反相电流怎么产生的？
在由半导体排成的晶体二极管三极管中才有反向电流的概念。
所以才方向相反电流是由少数载流子在内电场作用下所做的漂移运动而连成的
产生原因一是有储能元件,电容或电感.
二是因此电磁感应出现了反电动势
这是反相电流怎末才能产生的的原因
二极管导通是有压降的吧只是很小才视为短路，断开电压都加在二极管上了为什么负载没有电压？
非常高兴回答你的问题
二极管可分硅晶体二极管和锗晶体二极管。我们就以可以使用最应用广泛的硅晶体二极管为例来那说明在反向电压下，为么更视关断。
当我们在二极管平行放置算上运动方向电压时，会产生最少1~几十5ma的很小的方向相反饱和电流，且基本上达到变为，不受反向移动电压的影响。这么多小的逆方向电流在其负载上出现的电压降微乎甚微，简直测量不进去，所以我我们其实负载上没有电压，也就是我们说的二极管正处于关断状态。不过，反向电压值不能远远超过二极管的大方向相反电压，不然城就会刺透。当然了，稳压二极管除外。
要是我的回答都能够回答一你的问题，将是我很高兴的事！
二极管朝导通电压：
硅管0.7V±，
锗管0.17V±，
肖特基管0.35V±。
只要你有向这边电流就有导通电压。
门限电压是死区电压吗？
是死区电压。所谓死区电压：由于PN结内部有自建电场，电子和电子空穴的漂移作用，其内部本身就更具当然的电能，也就是说它的内部本身带有电荷，利用它的单方向导电性，其实应该是给PN结再加外部电压，破坏了它内部自建电场的平衡。
在向这边电压很小时，实际二极管的电流很小，仅有方向向电压提升到某一数值Ur后，电流才的确增长。大多数把电压Ur被称二极管的门限电压，也一般称死区电压或阈值电压。导致硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，因此硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。
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