半导体掺杂浓度越大pn结怎么变化 半导体的电阻率范围是多少？
半导体的电阻率范围是多少？
半导体的电阻率介于金属和绝缘体之间：室温时约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，也有取其1/10或10倍的）。
基本信息
晶向
电阻率与晶向关联。
这对各向异性的晶体，电导率是一个二阶张量，共三27个分量。
尤其的，是对Si之类的更具立方对称性的晶体，电导率是可以简化后为一个标量的常数（其他二阶张量的物理量也是如此）。
载流子
电阻率的大小做出决定于半导体载流子浓度n和载流子迁移率μ：ρ1/nqμ。
这对游离浓度不均匀的扩散区的情况，一般说来常规来算电导率的概念；在完全不同的扩散浓度其分布（比如高斯分布或余误差广泛分布等）情况下，也不予行政处罚决定了换算下来电导率与扩散杂质表面浓度之间的关系曲线，可供查用。
温度
决定电阻率温度关系的通常因素是载流子浓度和迁移率随温度的变化关系。
在低温下
而载流子浓度指数式大小改变（施主或受主杂质不时电离），而迁移率又是速度变大的（电离杂质散射作用减缓之故），所以这时电阻率紧接着温度的升高而迅速下降。
在室温下
导致施主或受主杂质巳经几乎电离，则载流子浓度变为，但迁移到率将紧接着温度的升高而降低（晶格振动加重，造成声子散射增强功能失常），所以我电阻率将紧接着温度的会升高而大小改变。
在高温下
过了一会儿本征释放正在起作用，载流子浓度将指数式地一下子速度变大，只不过正在此时迁移到率依然紧接着温度的会升高而减少（晶格振动散射散射越来越大强），可是这种迁移率减少的作用还不如载流子浓度大小改变的强，所以我总的效果是电阻率随着温度的会升高而会下降。
本征增强温度
半导体又开始本征增强起重要作用的温度，也就是电阻率很快降低的温度，该温度来讲那就是所有以pn结才是工作基础的半导体器件的高了工作温度（毕竟在该温度下，pn结即并没有修真者的存在）；该温度的高低与半导体的渗杂浓度或者，掺杂浓度越高，只不过多数载流子浓度越大，则本征激发起重要作用的温度——半导体器件的极高工作温度也就越高。所以我，若特别要求半导体器件的温度稳定性越高，其渗杂浓度就肯定越大
pn结两端是什么？
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型游离区紧密所接触所所构成的，其所接触界面称做冶金结界面。在一块发下的硅片上，用相同的渗杂工艺使其着边形成N型半导体，另不停地无法形成P型半导体，我们称两种半导体的交界处面附近的区域为PN结。
所以我pn结两端是P型和N型半导体。
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