碳化硅发展现状 碳化硅与铁反应温度？
碳化硅与铁反应温度？
反应温度在1450度左右才能形成固熔体。
碳化硅有磨料级（SiC≧98%）和冶金级（SiC≦94%）之分。磨料级组建熔炉内的碳化硅转变成铸铁的碳和硅，一是提高碳当量；二是可以提高了铁液的选择还原性，大大可以减轻腐蚀严重炉料的威胁最大作用。组建碳化硅是可以避兔碳化物沉淀析出，提高铁素体量，使铸铁组织致密，显着能提高加工性能并使切削面光洁。
碳化硅坩埚加热原理？
碳化硅坩埚为一陶瓷深底的碗状容器。当有气体要以大火加热时，就要可以使用坩埚。是因为它比玻璃器皿更能承受高温。
坩埚使用时通常不会把熔解的东西放的太满，以能够防止受热膨胀物打开，并让空气能契约进出自如以接受可能会的氧化反应。
氮化镓与碳化硅优劣势？
碳化硅与氮化镓的优劣势是：
1、性能方面：
具体而言，SiC器件可以承受更高的电压，最高可达1200V；GaN器件的工作电压和功率密度则低的SiC。同样，由于GaN器件的关断时间全都为零（与50V/s的SiMOSFET相比较，高电子迁移率使GaN的dV/dt为0100V/s），而可在高频段提供给前所未有的效率和性能。只不过这种实现理想的奔来特性被证明也给予不方便，假如器件的寄生电容不接古淡零，可能会出现几十安培的电流尖峰，肯定会在电磁兼容测试阶段倒致问题。
2、标准封装方面：
SiC更具优势，而可以不常规与IGBT和MOSFET是一样的的need-247和want-220封装，新的SiC这个可以利用快速重命名。GaN器件则在用更轻、更小的SMD封装，虽然可以完成任务更好的效果，但可以用在新项目中。
3、成本方面：
SiC器件现阶段更便宜一点，更受欢迎，原因之一是其走在了GaN之前。成本只不过在一与生产工艺具体，还与市场需求有关，这也是为什么市场上的价格会趋近平坦的原因。而GaN基板的生产成本较高，GaN器件常见都基于Si衬底。
碳化硅半导体材料？
碳化硅是一种半导体材料，碳化硅（SiC）由碳（C）原子和硅（Si）原子横列，密度是3.2g/cm3，纯天然碳化硅太罕见，通常是从人工合成。其晶体结构更具同质多型体的特点，在半导体领域最常见的是具高立方闪锌矿结构的3C-SiC和六方纤锌矿结构的4H-SiC和6H-SiC。碳化硅是目前发展最长大成熟的第三代半导体材料。
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