为什么要衬底 衬底和外延片的区别是什么？

衬底和外延片的区别是什么？1. 衬底是指经过切片、清洗、未经其他工序加工的蓝宝石晶棒或硅片。也称为基质。一般来说，它是经过物理切割（没有任何物理或化学变化）后用作背衬的硅原料。2. 外延片是指采用MO

衬底和外延片的区别是什么？

1. 衬底是指经过切片、清洗、未经其他工序加工的蓝宝石晶棒或硅片。也称为基质。一般来说，它是经过物理切割（没有任何物理或化学变化）后用作背衬的硅原料。

2. 外延片是指采用MOCVD工艺加工的晶片。外延生长的基本原理是：在衬底（主要是蓝宝石、碳化硅和硅）上加热到适当的温度，气体InGaAlP以可控的方式传输到衬底表面，生长出特定的单晶薄膜。

工艺流程为衬底结构设计、缓冲层生长、n型GaN层生长、多量子阱发光层生长、p型GaN层生长、退火检测（光致发光、X射线）外延片

芯片为最终工艺，在外延片上进一步加工。

具体工艺为外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→脱胶→平台图形光刻→干法蚀刻→脱胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→脱胶→N极图案光刻→预清洗→涂布→剥离→退火→P极图案光刻→涂布→剥离→研磨→切割→切屑→成品检测。