中国研制出世界上首台用紫外光源实现了22纳米分辨率的光刻机，在世界上属于什么水平？

网友解答: 魂舞大漠注意到了11月29日的消息，一内行有这样的评述，实事上，又一颗大白菜又被兔子给拱了。呵呵，我们高兴。有一门外汉却说了，这个只是实验品，用于芯片厂的我们有吗？还没有高精

魂舞大漠注意到了11月29日的消息，一内行有这样的评述，实事上，又一颗大白菜又被兔子给拱了。呵呵，我们高兴。有一门外汉却说了，这个只是实验品，用于芯片厂的我们有吗？还没有高精度镜头，也没有高精度对准技术，精度只是阿斯麦的十万分之一，可是我们看到，中芯国际订购的7纳米级EUV明年就到货了呢，噫，向来依据“瓦纳森协定”，这种光刻机可是对我严格禁止出口的，这又是怎么回事？美国挥动制裁大棒，制裁中兴，不过眼巴前发生的事呀，让我们通过实事，来戳穿一些谎言，一观实事真相如何？先来理清这位门外汉的迷雾，他说的这些，对我们来说都有了，技术上在国际上领了先，且领先不是一星半点，只是他根本不懂，人云亦云罢了。仅光电所在国际上申请的专利就有4项，其它4项已被人申请。通过研发，所可喜的是，人才队伍已是兵强马壮，技术上拨开了迷雾，已来到了一个大的突破期。光电所的精英们说了，可以保证，下一步就是弯道超车的问题。好了，下面就让我们来做番梳理。

▲名字之下。藏多少猫腻，英文不好，不关注科技者，不知ASML在我们这就叫阿斯麦，而艾司摩尔正是台湾的叫法，其台积电占有5%的股权。韩国三星3%，英特尔有15%，荷兰这家公司，不过，大国协作的产物，什么美国的光源，德国蔡司镜头等等，他们都是该公司的股东，因此成就了ASML的名头。由于很多技术突破了物理的极限，使用的名词，不为寻常百姓所熟知，突破了极限，要的是精度，芯片体积才可以造的越来越小呀。中国每突破一极限，美国为代表的西方国家，即开始对中国出口相关产品，成为规律，谁不挣钱都着急，2015年刚说要将65纳的设备给我们，今年阿斯麦就宣布，7纳的光刻机对中国一视同仁，嘻嘻，谢谢您的仁慈，谁都能听出来，中国没有的话，实事上根本不可能，不少喷子纳闷极了，我们的进步，有这么快？是的，由不得你眨下眼睛。国际上现在最先进的芯片也就是这个水平了，中兴还是回国创业吧。

▲新闻背后。光刻机是集成电路产业的一颗最璀璨的明珠，闪烁着高难问的光辉，如同航空产业的发动机一样，由于技术门槛非常之高，一般人拱不动的，日本由于收购德国亚深，掌握了深紫外光源技术和物镜技术，其尼康和佳能也能做22纳的水平，这些年还是发了些财的，所以每谈及日本芯片，总有人投去羡慕的目光。我们收不动，大约也只能自家研发，透过新闻报道，我们可以看到，我们走了一条不同的路，取得了更高的精度，有称世界首台用紫外光源实现22纳的EUV，采取多次曝光技术可以实现10纳，我们不吹，10纳以下是一个级别，所以7纳亦可有望实现之。至少打破了禁运规则，他们再想赚钱，不得不重新审定，只是手里还有吗？由此看来，人家比咱们有些人要明白，能赚则赚，这回中国先，要来几台？所以新闻说，可以达到一致的水平。年初要制裁，年底被打脸，这一掌掴出了深紫之血。

▲中国光刻。我们使用的光源，为固态深紫外，不同于阿斯麦的离子束，我们的优点比较细，可使设备小巧得多，成本还低。二看物镜的镜片，荷兰使用的是磁流变和离子束，辅之以手工，加工慢，人工成本自然就高，我们则实现了全自动。此二者都是日本根本不可能完成的。以现在的技术，产业以后，以其寿命长，产率高，可以白菜价占领14纳的市场。致于极紫外的，现在都在努力，据说0.1纳的镜片，我们已攻克，上面镀的一层原子膜，中国说是第二，无人敢讲第一。据悉日本不敌已败走，阿斯麦为此正在吭哧憋肚。年初中芯花钱买来的7纳EUV，每台1.2亿美刀，我们的量产后，不过千万级。请记住，2018年11月29日，这一天是有重大意义的，魂舞大漠去各大网站走了一遭，看到网友们无不为咱们取得的成就欢欣鼓舞。

这台光刻装备从商业上虽然还不能取代ASML的光刻机，但是在技术上的确是取得了不小的突破。

目前最先进的EUV光刻机可以做到7nm工艺，而国产光刻机单次曝光最高线宽分辨率可以达到22nm，结合多重曝光技术后，可以达到10nm工艺。当然，国产光刻机的水平并不是7nm和10nm的比较这么简单，我们也要了解一下它的局限和突破。

先说局限，目前这台光刻机只能加工1~4英寸的晶圆，而现在的晶圆厂很多都已经从12英寸晶圆起步，采用国产光刻机很难在商业上具有竞争力。即使是不考虑成本打算加工4英寸晶圆，很遗憾与之配套的设备目前都还没有跟上。

并且由于这台光刻机采用的是接触式光刻，一点点缺陷就会造成品质问题，所以只能做简单的线、点、光栅等部件，而对于生产芯片这件超级复杂的事情来说，目前还不可能，需要进一步的研发迭代。

再来说说突破，国产光刻机最大的突破在于没有重复走ASML的老路，而是另辟蹊径，采用了表面等离子体（SP）光刻技术，形成了一条全新的纳米光学光刻技术路线；同时具有完全自主知识产权，为超材料/超表面、第三代光学器件、广义芯片等变革性领域的跨越式发展提供了制造工具。

不仅如此，目前ASML的顶级EUV光刻机用的是13.5nm的极紫外光源，它的成本极高，一个就要3000万元人民币（还必须要在真空下使用），以至于荷兰ASML独家垄断的EUV光刻机创造了“一台卖一亿美金”的神话。

而国产光刻机采用的是传统的365nm汞灯做光源，一只费用仅为数万元，光刻机整机价格在百万元至千万元级别，成本大大降低，绝对是一个了不起的技术突破。

所以我们有理由乐观地期待，国产光刻机在进行若干次技术迭代后可以逐步赶上、甚至替代ASML的光刻机，作为国产芯片制造的核心装备。